45nm: IBM annonce à son tour High-K & Metal Gate

Alors qu'Intel annonçait en fin de semaine dernière la mise au point d'un nouveau type de transistors allant de pair avec la fabrication en 45nm (voir L'après Intel Core 2 : Penryn, 45nm, SSE4), lui emboite le pas. Les équipes du géant bleu, en partenarait notamment avec AMD, Sony et Toshiba, ont en effet annoncé la mise au point d'un matériau métal, hafnium, permettant de remplacer le dioxyde de silicium habituellement utilisé dans la couche isolante des portes d'un transistor.

Tout comme Intel, IBM est donc en mesure de produire des semiconducteurs de type High-K Metal Gate. Cette avancée technologique permettra à l'industrie de palier au problème de fuite des électrons tout en continuant la course à la miniaturisation. Malgré cette annonce, IBM reste assez discret sur certains points de détails, ce qui fait penser que contrairement à Intel, IBM n'est pas encore en mesure d'utiliser sa technologie pour une production de masse, la réservant à quelques prototypes pour le moment. En effet, IBM annonce une mise en oeuvre de son procédé High-K pour début 2008 dans son usine de New-York alors qu'Intel démarrera la production dès le second semestre de cette année.