La conférence IEDM permet presque chaque années aux acteurs de l'industrie du semiconducteur et de l'électronique de dévoiler de nouvelles avancées technologiques dans leurs domaines d'expertise. En cette édition 2019 de l'événement, tenue à San Francisco du 7 au 11 décembre dernier, Samsung a présenté un nouveau capteur photo 144 Mp... Gravé grâce à un procédé 14 nm FinFET.
Quand on parle de procédés de gravure, ce sont les processeurs, SoCs et autres GPUs qui viennent le plus souvent en premier à l'esprit. Cependant, les capteurs photos de nos smartphones ont aussi recours à ce type de technologies pour être fabriqués. Samsung vient ainsi d'annoncer un nouveau capteur pour smartphones, de 144 Mp, basé sur la gravure en 14 nm FinFET de sa fonderie (en lieu et place du procédé en 28 nm).
© Samsung via Image Sensors World
Un capteur plus économe en énergie
En utilisant ce protocole de gravure sur des capteurs photo, Samsung espère réduire leur consommation. D'après les chiffres partagés par le groupe, les résultats de ce passage au 14 nm FinFET seraient probants. Comme le rappelle GSMArena, les capteurs photos fonctionnent d'ordinaire à une tension relativement élevée (2V et parfois plus, rapporte le média). Aussi, l'objectif de Samsung et de ses concurrents est de réduire au maximum cette tension pour des raisons évidentes d'économies d'énergie, mais aussi pour limiter la chauffe des capteurs lorsqu'ils sont sollicités.
© Samsung via Image Sensors World
Avec son nouveau capteur gravé en 14 nm FinFET, Samsung indique être en mesure de réduire de 42 % la consommation en enregistrement à 10 fps et en 144 Mp. Un chiffre que la marque revoit légèrement à la baisse lorsque le capteur est réglé en 12 Mp, mais pour une capture vidéo comprise cette fois entre 30 et 120 fps. Dans ces conditions la consommation baisse de 37 %.
Une annonce qui porte sur les transistors... et non sur les pixels.
Notez bien que l'annonce de Samsung ne change en rien la technologie utilisée en matière de capture photo / vidéo. La taille des pixels ne change pas. L'apport du 14 nm se situe sans surprise du côté des transistors utilisés pour amplifier le signal allant des pixels vers les composants de calcul analogique et numérique présents sur le capteur.C'est essentiellement de ce côté que des économies d'énergies peuvent être réalisées en passant sur un procédé permettant une gravure plus fine des transistors.
Source : GSMArena , Image Sensors World
